【电报解读】三星电子完成900层超高堆叠3D NAND闪存原型开发，机构称3D NAND对刻蚀设备的需求比例将显著加大，这家公司的刻蚀设备可覆盖DRAM及NAND存储产线多种...

三星电子完成900层超高堆叠3D NAND闪存原型开发，机构称3D NAND对刻蚀设备的需求比例将显著加大，这家公司的刻蚀设备可覆盖DRAM及NAND存储产线多种设备的技术需求，已批量服务刻蚀、薄膜沉积、晶圆制造三大环节头部客户。