FAP, 26 de mayo /PRNewswire - FirstCall - Asianet/ - Samsung Electronics formó recientemente un equipo de desarrollo en su centro de investigación de semiconductores a masa - producir 4F2 - DRAM estructurado, de acuerdo con la gente familiarizada con el asunto. El objetivo de la empresa es aplicar 4F2 a los procesos DRAM por debajo de 10 nanómetros, que se espera que enfrenten el límite de reducción de ancho de línea con la tecnología actual. (Elec)